開關(guān)電源的功耗是指由半導(dǎo)體開關(guān)、磁性元件和布線等寄生電阻所產(chǎn)生的固定損耗及進(jìn)行開關(guān)操作時的開關(guān)損耗。對于固定損耗主要取決于元件自身的特性，一般需要通過元件技術(shù)的改進(jìn)來予以抑制。降低功耗可以大大的節(jié)能，同時還能簡化電源部分設(shè)計，下面介紹一些提高電源效率降低功耗的方法。

1、在開關(guān)電源次級輸出端的肖特基上并一個小功率快速二極管來代替RC吸收，效率一般可以提高1~2個點；

2、在體積和面積的允許下，盡量選用PQ RM型的變壓器，在安規(guī)允許的情況下，變壓器不加擋墻效率可以得到提升；

3、合理選擇輸入輸出的電解容量值；

4、主電流回路PCB盡量短；

5、優(yōu)化變壓器參數(shù)設(shè)計，減少振鈴帶來的渦流損耗；

6、合理選用開關(guān)器件；

7、輸入EMI部分優(yōu)化設(shè)計；

8、選擇高效率的拓補(bǔ)結(jié)構(gòu)；

9、選擇好的電解電容；

10、啟動部分功耗設(shè)計；

11、芯片輔助供電優(yōu)化；

12、ZVS（零電壓開關(guān)）、ZCS（零電流開關(guān)）等利用諧振開關(guān)來降低開關(guān)損耗；

13、選型時可選擇低功耗的MCU；

14、選擇低用電的器件可明顯降低器件耗電；

15、降低器件工作頻率；

16、改變占空比。

    提高開關(guān)電源效率降低功耗需要先了解其損耗的構(gòu)成，如：反激式電源的工作損耗主要是MOSFET導(dǎo)通損耗，可切斷啟動電阻，降低開關(guān)頻率，減少開關(guān)次數(shù)提高待機(jī)效率。